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鼓励(b)D3d单层结构不同温度下的分子动力学模拟。受邀在美国材料研究学会（MRS）春季会议、支持中和新加坡先进技术材料国际会议（ICMAT）等国际会议上做特邀报告近20次。

民营(a)新型D3d单层向已知D3h单层结构转变的势垒图。企业权交理论预测的新相期待实验合成的证实。此外，参参不同类型的物相随层数变化时，对二次谐波信号的响应情况有所不同。

那么，推进碳达碳排二维半导体硒化铟是否存在由不同单层结构构成、推进碳达碳排具有不同性质的新相呢？成果简介近日，吉林大学张立军教授团队从理论上设计出一类由新型单层结构构成的二维半导体硒化铟新相，并呈现出提升的电子性质。获中国材料研究学会计算材料学分会计算材料学青年奖（2018）、峰碳放权吉林省青年科技奖—特等奖（2019）。

背景介绍作为重要的二维半导体材料，用能易硒化铟（InSe）具有高达1×103 cm2V-1s-1的室温电子迁移率，用能易及超宽的光谱响应范围（从体相减薄至单层，带隙值可增加1.0eV）等特点，因而在电子和光电子器件，如场效应晶体管、光电探测和影像传感等领域有重要应用价值。

河北(a)D3d单层和D3h单层结构的轨道投影能带图。鼓励相关阅读：行走的超级大平板。

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